瑞薩電子推出40納米工藝MCU

2013-08-09 10:00 來源:電子信息網(wǎng) 作者:蒲公英

如今,嵌入式系統(tǒng)在汽車電子系統(tǒng)中的運用越來越廣泛,其結(jié)構(gòu)也日趨復雜,而消費者對于電子系統(tǒng)的性能要求也在日益增長,車主們希望其有更快的反饋速率,更簡便的操控,以及更強的穩(wěn)定性。為了適應需求,瑞薩電子推出一款能夠滿足大規(guī)模電路并容納大量內(nèi)置程序的微控制器。

快速存取 高耐溫性

高性能微控制器必須要擁有大容量的內(nèi)部閃存以存儲復雜的控制算法和應用代碼。瑞薩電子的新款微控制器產(chǎn)品主要將對芯片的片上閃存進行擴展。

一塊高性能微控制芯片不僅要擁有大容量的片上閃存,還需要高速的讀存取速率,這樣CPU才能快速的獲取存儲的數(shù)字信息,并最大限度地提高程序的執(zhí)行效率。若閃存讀取速度緩慢,那么整個邏輯電路就會發(fā)生木桶短板效應,發(fā)揮不了系統(tǒng)最大的性能。CPU的時鐘周期如果被浪費用來等待閃存讀取,那么整個系統(tǒng)的執(zhí)行效率顯然會降低。改進應用程序性能和簡化系統(tǒng)設計對于獲得最快的閃存讀存取速度至關(guān)重要。

下圖為瑞薩電子MCU發(fā)展時間-閃存讀取速度圖:可以看到,到2010年,瑞薩MCU芯片大小為40納米,響應頻率大大超過100MHz(紅色虛線)。而傳統(tǒng)MCU芯片供應商(藍色實線)產(chǎn)品的閃存讀取頻率仍低于40MHz,很大程度上限制了芯片的性能發(fā)揮。

1

圖1:MCU和內(nèi)置閃存的工作頻率變化歷史

1 2 3 > 
MCU 瑞薩電子

相關(guān)閱讀

暫無數(shù)據(jù)

一周熱門